獲得不同組分的納米材料是納米研究的關(guān)鍵，利用VSP-G1配合不同的電極可以產(chǎn)生雙金屬、納米合金或在塊狀狀態(tài)下不混溶的材料等粒子。火花燒蝕可以在放電通道產(chǎn)生高達(dá)20000K的瞬時(shí)高溫，足以克服塊體材料的宏觀不溶性，產(chǎn)生更多的材料可能性。混合兩個(gè)純電極或使用合金電極可以通過(guò)成分控制調(diào)整材料組分。類似地，通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)運(yùn)行兩個(gè) VSP-G1，每個(gè) VSP-G1 使用不同的電極材料，最終產(chǎn)生分層結(jié)構(gòu)的材料（例如，分層結(jié)構(gòu)、核-殼或異質(zhì)結(jié)構(gòu)）

VSP-G1 最有價(jià)值的一點(diǎn)是能夠調(diào)整所生產(chǎn)納米粒子的平均粒徑。這是通過(guò)改變氣體流速來(lái)實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)然這會(huì)影響納米顆粒在反應(yīng)器內(nèi)的停留時(shí)間。 較低的流速通過(guò)為初級(jí)顆粒提供更多的時(shí)間來(lái)凝并，從而導(dǎo)致較大的平均粒徑，而較快的流速可產(chǎn)生較小的顆粒。根據(jù)準(zhǔn)備的樣品類型（例如 TEM 網(wǎng)格或多孔涂層），還可以調(diào)整總功率以改變產(chǎn)率。更高的電壓/電流組合帶來(lái)更高的燒蝕率和更大的顆粒。 氣溶膠技術(shù)區(qū)別與其它真空氣相技術(shù)的最大特點(diǎn)便是在常壓下利用氣體有效影響納米顆粒的生長(zhǎng)與傳輸過(guò)程。

采用模塊化設(shè)計(jì)，VSP-G1 納米粒子發(fā)生器可輕松與沉積裝置結(jié)合使用，以制備先進(jìn)的納米材料。基于擴(kuò)散、過(guò)濾或沖擊技術(shù)，有不同的沉積模塊可用。